Zobrazeno 1 - 10
of 1 910
pro vyhledávání: '"Wafer dicing"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Teh-Hua Tsai, Chen-Yu Wang
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 13, Iss 9, p 5294 (2023)
A new cleaning agent for silicon contamination in the wafer dicing process was formulated in this research. Ammonium bifluoride was introduced as the main ingredient in the formula, and MSA and sulfuric acid were added as the solvent and buffer solut
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5d00b25e41ed42f0ab9b0cdb9b644080
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 7, p 1011 (2022)
With the intrinsic material advantages, silicon carbide (SiC) power devices can operate at high voltage, high switching frequency, and high temperature. However, for SiC wafers with high hardness (Mohs hardness of 9.5), the diamond blade dicing suffe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8823eecf97fc40e6a59e381d9bc4fb88
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 12, Iss 11, p 1331 (2021)
SiC wafers, due to their hardness and brittleness, suffer from a low feed rate and a high failure rate during the dicing process. In this study, a novel dual laser beam asynchronous dicing method (DBAD) is proposed to improve the cutting quality of S
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5e1b2f6864fd48049b59a688553a88ab
Publikováno v:
Precision Engineering. 73:377-408
Over the last decade, lasers have been gradually employed for Si wafer dicing to replace blade dicing. Laser dicing has the potential to replace blade dicing as the future generation ultrathin wafer singulation method as it enables higher cutting spe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dc37427b177763cc63f538819f0a8dbc
https://doi.org/10.1016/j.precisioneng.2021.10.001
https://doi.org/10.1016/j.precisioneng.2021.10.001