Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

RADIATIVE RECOMBINATION AND GAIN IN InGaN/GaN QUANTUM WELLS WITH In-RICH NANOCLUSTERS.

Autor: ZUBIALEVICH, V. Z., DANILCHYK, A. V., LUTSENKO, E. V., PAVLOVSKII, V. N., GURSKII, A. L., YABLONSKII, G. P., SCHINELLER, B., DIKME, Y., LUENENBUERGER, M., HEUKEN, M., WOITOK, J. F., KALISCH, H., JANSEN, R. H.

Publikováno v: Physics, Chemistry & Application of Nanostructures: Reviews & Short Notes To Nanomeeting 2007 - Proceedings of the International Conference on Nanomeeting 2007; 2007, p196-199, 4p

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Impact of nitridation on structural and optical properties of MOVPE-grown m-plane GaN layers on LiAlO.

Autor: Mauder, C., Rahimzadeh Khoshroo, L., Behmenburg, H., Reuters, B., Bösing, M., Rzheutskii, M. V., Lutsenko, E. V., Yablonskii, G. P., Woitok, J. F., Chou, M. M. C., Heuken, M., Kalisch, H., Jansen, R. H.

Publikováno v: Physica Status Solidi (C); Jun2009 Supplement, Vol. 6, pS482-S485, 4p

Si(111) as alternative substrate for AlGaN/GaN HEMT.

Autor: Dikme, Y., Fieger, M., Jessen, F., Szymakowski, A., Kalisch, H., Woitok, J. F., van Gemmern, P., Javorka, P., Marso, M., Kaluza, N., Jansen, R. H., Heuken, M.

Publikováno v: Physica Status Solidi (C); 2003, Vol. 0 Issue 7, p2385-2388, 4p