Zobrazeno 1 - 10
of 201
pro vyhledávání: '"W.V. Lundin"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A.I. Besulkin, E.E. Zavarin, W.V. Lundin, M.G. Mil’vidskii, Stephen J. Pearton, Andrei Osinsky, Alexander Y. Polyakov, N. B. Smirnov, N. M. Shmidt, Alexander Usikov, A. V. Govorkov
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 47:671-676
The results of microcathodoluminescence (MCL) and deep levels transient spectroscopy (DLTS) studies of AlGaN/GaN modulation doped field effect transistor (MODFET) structures and modulation doped and undoped AlGaN/GaN superlattices (SLs) grown by meta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3afd4e07cd44b7dd9220769650c1d3c4
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(02)00319-2
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(02)00319-2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N. M. Shmidt, Alexander Usikov, W.V. Lundin, A. V. Govorkov, N. B. Smirnov, Alexander Y. Polyakov
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 45:255-259
Spectra of deep centers were studied in p-GaN(Mg) films prepared by metallorganic chemical vapor deposition on sapphire. In addition to the E v +0.16 eV Mg acceptor levels hole traps with a level near E v +0.4 eV were observed. Persistent photoconduc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ba041c7c6fff5dfd4f1a05bb6ded97f0
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(00)00257-4
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(00)00257-4
Autor:
B. Theys, N. M. Shmidt, Alexander Usikov, F Jomard, A. V. Govorkov, N. B. Smirnov, W.V. Lundin, Alexander Y. Polyakov
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 44:1971-1983
Effects of implantation with 150 keV protons and 350 keV deuterium ions on deep levels spectra and electrical and recombination properties of n-GaN samples were studied for fluences between 8×10 13 and 5×10 15 cm −2 . Implantation led to substant
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ae88e03e38ce235855c94baac3c2f186
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(00)00159-3
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(00)00159-3
Autor:
N. B. Smirnov, B.V Pushnyi, Alexander Y. Polyakov, Alexander Usikov, W.V. Lundin, M.G. Mil’vidskii, A. V. Govorkov
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 43:1929-1936
Deep traps were studied in GaN homojunction and AlGaN/GaN heterojunction light emitting diode (LED) p–i–n structures by means of deep levels transient spectroscopy (DLTS), admittance and electroluminescence (EL) spectra measurements. It is shown
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::77d3ede629c6f59c8044822a59891766
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00154-9
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00154-9