Zobrazeno 1 - 10
of 212
pro vyhledávání: '"W.T. Moore"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 164:485-490
Device quality AlGaAs layers have been grown by CBE using both TMAA and DMEAA on 3 inch diameter GaAs substrates. Al 0.3 Ga 0.7 As layers with oxygen concentrations as low as 1 x 10 16 cm -3 have been obtained for undoped layers using aluminum source
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d00403cb826773649ac737088bc8f715
https://doi.org/10.1016/0022-0248(96)00022-x
https://doi.org/10.1016/0022-0248(96)00022-x
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 136:230-234
AlGaAs-GaAs heterojunction bipolar transistors have been fabricated with current gains > 200 for devices with emitter dimensions of 2×2 μm2. The epitaxial layers were grown using chemical beam epitaxy and were npn single heterojunction transistors
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6c0952bffa15972f3c81482d462fde76
https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)90415-4
https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)90415-4
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 124:352-357
Semi-insulating Fe-doped InGaAsP alloys of λ = 1.0, 1.15, 1.35 and 1.55 μm wavelength compositions lattice matched to InP have been grown and characterized for the first time. The resistivity is maximum for λ = 1.0 μm InGaAsP at a value of 1×10
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8c6a271024c9939300e5f011d343cabe
https://doi.org/10.1016/0022-0248(92)90483-y
https://doi.org/10.1016/0022-0248(92)90483-y
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 39:2430-2437
Two-dimensional simulations that demonstrate the effects of displacements of the p-n junctions from the heterojunctions of symmetrical Al/sub 0.28/Ga/sub 0.72//GaAs double-heterojunction bipolar transistors (DHBTs) are reported. When the emitter and/
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::75a391812ada4029eb346f983891fc6d
https://doi.org/10.1109/16.163454
https://doi.org/10.1109/16.163454
Publikováno v:
Sixth International Conference Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d24cd83c1c3bf64bbb2c1a22ab945a3b
https://doi.org/10.1109/movpe.1992.665025
https://doi.org/10.1109/movpe.1992.665025
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 34:423-425
The effects of the displacement of the PN junction from the hetero-interface in a PN- and heterojunction diode is discussed. Theoretical calculations of such effects on the junction characteristics and thermionic current are presented
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d9f4f114cd9440b286424be1a6e7d093
https://doi.org/10.1016/0038-1101(91)90175-x
https://doi.org/10.1016/0038-1101(91)90175-x