Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"W.T. Beard"'
Autor:
Wei Chen, W.T. Beard, C.D. Lee, Y. J. Chen, D. Stone, I.R. Stewart, R.F. Smith, R. Mincher, Qiang Wang
Publikováno v:
Journal of Lightwave Technology. 19:1726-1733
The crosstalk performance of an arrayed-waveguide grating (AWG) multiplexer or demultiplexer is primarily caused by random optical phase errors introduced in the arrayed waveguides. Because the layout of waveguides on a wafer is patterned via photoma
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3c3d90b3632790f293608da8aa84cec2
https://doi.org/10.1109/50.964073
https://doi.org/10.1109/50.964073
Publikováno v:
Journal of Materials Science Materials in Electronics. 8:109-113
Etched V-grooves on (1 0 0) gallium arsenide crystal surfaces produced using various compositions of bromine-in-methanol etchant are bounded by sidewall surfaces, presumably of Ga atoms, aligned along the original {7 6 6} position of the bulk crystal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8dbd997ef65a1f7e3c74e30695051aaf
https://doi.org/10.1023/a:1018525625590
https://doi.org/10.1023/a:1018525625590
Autor:
J.A. Cook, J.M. Knecht, S.J. Spector, Chenson Chen, Peter W. Wyatt, W.T. Beard, Michael Fritze, R.M. Blumgold, C.L. Chen, Robert Neidhard, Craig L. Keast, Charles Cerny, D.-R. Yost
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 23:52-54
A T-gate structure has been implemented in the fabrication of fully depleted silicon-on-insulator MOSFETs. The T-gate process is fully compatible with the standard CMOS and the resulting reduction of gate-resistance significantly improved the RF perf
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1cfcda5e96bf4f33ca6711e3ccefcb5b
https://doi.org/10.1109/55.974810
https://doi.org/10.1109/55.974810
Publikováno v:
Surface Science Letters. 174:A435
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4cdfbdb24c6720406da4531f75fb7d60
https://doi.org/10.1016/0167-2584(86)90036-8
https://doi.org/10.1016/0167-2584(86)90036-8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.