Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"W.M. Werner"'
Autor:
Thomas Dr Scheiter, K.-G. Oppermann, Hergen Kapels, W.M. Werner, Max Steger, Hans-Joerg Timme, C. Hierold
Publikováno v:
Sensors and Actuators A: Physical. 67:211-214
We report a novel process for the full integration of surface-micromachined pressure-sensor cells into a standard BiCMOS process. Only the standard layers of the BiCMOS process are used to build up the sensor and only one additional photolithography
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::af038809eeb857ef3b2a32549625ea4a
https://doi.org/10.1016/s0924-4247(98)00029-6
https://doi.org/10.1016/s0924-4247(98)00029-6
Autor:
Floer, W.M. (Werner)
M-Zellen sind spezialisierte Epithelzellen im Follikel-assoziierten Epithel (FAE) der Peyer´schen Plaques (PP). Ziel der Arbeit war es, die Kinetik der M-Zell Formation bei akuter Darmentzündung darzustellen und die M-Zell assoziierten Lymphozyten
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______517::2cd4b37fe77fd0970866316dc05b4c8f
https://repositorium.uni-muenster.de/transfer/miami/24df4846-475c-43ac-b6ad-68f6227c6597
https://repositorium.uni-muenster.de/transfer/miami/24df4846-475c-43ac-b6ad-68f6227c6597
Publikováno v:
[1991] Proceedings of the 3rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs.
Describes a novel smart power technology (SPT) which integrates n-channel (DMOS) power transistors for multichannel applications, p-channel high voltage transistors, and CMOS logic and bipolar devices. The DMOS was optimized with respect to minimal R
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cf5768937e8e58c58886c6332562bdcb
https://doi.org/10.1109/ispsd.1991.146097
https://doi.org/10.1109/ispsd.1991.146097
Autor:
C. Wagner, H. Peri, W. Schwetlick, W.M. Werner, P. Nelle, E. Glenz, N. Krischke, Frank Pfirsch, Werner Kanert, Klaus Dr. Wiesinger
Publikováno v:
Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's: ISPSD '95.
We describe a smart power technology for a novel application in communication integrated circuits for public switch. This requires an extraordinary analogue performance and long term stability of a smart power process in addition to the 170 V capabil
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e39942a9e5dc2f3cd75d7a0d438adb6c
https://doi.org/10.1109/ispsd.1995.515008
https://doi.org/10.1109/ispsd.1995.515008
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.