Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"W.M. DeLancey"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 39:1974-1981
Total dose and neutron-induced displacement damage effect studies are reported for n-channel, 2- mu m channel length, depletion mode junction-field-effect-transistors (JFETs) fabricated on 6H-silicon carbide. Very little effect was observed on device
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::50b825680f5c57fdb7c2f9b5bcb14d65
https://doi.org/10.1109/23.211393
https://doi.org/10.1109/23.211393
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 38:1590-1597
Isochronal-annealing measurements were performed on n-channel Si-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) to determine the temperature at which interface traps anneal following exposure to 10-keV X-rays. All five of the proce
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::25f9093a30bae9634c1a2063c60261f1
https://doi.org/10.1109/23.124150
https://doi.org/10.1109/23.124150
SiC transistors can operate at very high temperatures and survive very high radiation doses. These characteristics make SiC potentially the ideal technology for nuclear power applications. In this paper we report, for the first time, on the active in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::abd377ef718c5b9b6b20c619e912532a
https://zenodo.org/record/1261474
https://zenodo.org/record/1261474
Neutron-induced displacement damage effects in n-channel, depletion-mode junction-field-effect transistors (JFETs) fabricated on 6H-silicon carbide are reported as a function of temperature from room temperature (RT) to 300/spl deg/C. The data are an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::05fec8ed21b7992800bc524eeaa9ced3
https://zenodo.org/record/1261410
https://zenodo.org/record/1261410
Publikováno v:
Proceedings of 1994 IEEE International Reliability Physics Symposium RELPHY-94.
Silicon carbide is an important emerging semiconductor technology for high power and high temperature applications. Although many papers in the literature report some of the characteristics and advantages of various SiC devices, very little informati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::79f7a50426341deb81056239de6cfd52
https://doi.org/10.1109/relphy.1994.307813
https://doi.org/10.1109/relphy.1994.307813
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.