Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"W.J.M. Havermans"'
Autor:
F.A.M. Op den Buijsch, R.A. Augur, C.N.A. Aussems, Pierre H. Woerlee, L.W.M. Dingen, P.A. van der Plas, R. de Werdt, W.J.M. Havermans, Tom C. T. Geuns, H.G. Pomp, Andreas H. Montree, N.A.H. Wils, M. Vertregt, L. de Bruin, Robertus D. J. Verhaar
Publikováno v:
International Technical Digest on Electron Devices.
The authors describe a 25.2 mu m/sup 2/ bulk full CMOS SRAM cell for application in high-density static memories fabricated in a 14-mask process using minimum dimensions of 0.5 mu m at a comparatively relaxed 1.2 mu m pitch. A very aggressive n/sup +
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0e77b4ddc4c291039a48a8123430ba46
https://doi.org/10.1109/iedm.1990.237065
https://doi.org/10.1109/iedm.1990.237065
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.