Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"W.J. Piacentini"'
Publikováno v:
MTT-S International Microwave Symposium Digest.
We describe the fabrication and testing of GaAs monolithic integrated circuit mixers which have liquid nitrogen double sideband (DSB) mixer noise temperatures in the range 50-200 K and conversion losses of 4.0-5.0 dB.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a52eea18b9614be36de53a5b0fad972e
https://doi.org/10.1109/mwsym.1981.1129955
https://doi.org/10.1109/mwsym.1981.1129955
Publikováno v:
Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits.
A two-stage monolithic IF amplifier incorporating sputtered Ta/sub2/0/sub 5/ capacitor has been fabricated. The monolithic capacitor is based on a composite layer structure consisting of Au, Ta, Ta/sub 2/0/sub 5/, Ta and Au. This layered structure is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::613f92d2a1a31a4278135a8f64a22936
https://doi.org/10.1109/mcs.1982.1112183
https://doi.org/10.1109/mcs.1982.1112183
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 30:21-26
A two-stage monolithic IF amplifier incorporating a sputtered Ta 2 O 5 capacitor has been fabricated. The monolithic capacitor is based on a composite layer structure consisting of Au, Ta, Ta 2 O 5 , Ta, and Au. This layered structure is sequentially
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4a72833240f4b84e9be0a89be89dcd82
https://doi.org/10.1109/t-ed.1983.21064
https://doi.org/10.1109/t-ed.1983.21064
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 31:21-26
A two-stage monolithic IF amplifier incorporating a sputtered Ta/sub 2/O/sub 5/ capacitor has been fabricated. The monolithic capacitor is based on a composite layer structure consisting of Au, Ta, Ta/sub 2/O/sub 5/, Ta, and Au. This layered structur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9a3cc4df1017f022456427ecea0dbc05
https://doi.org/10.1109/tmtt.1983.1131421
https://doi.org/10.1109/tmtt.1983.1131421
Autor:
P.M. Smith, K. B. Nichols, W.J. Piacentini, Mark A. Hollis, R. A. Murphy, S. Rabe, R.P. Gale, Carl O. Bozler
Publikováno v:
1985 International Electron Devices Meeting.
Secondary ion mass spectrometry (SIMS) analysis has been extensively used to study impurity contamination and dopant incorporation in the fabrication procedures for the permeable base transistor (PBT). As a result of these SIMS findings, the fabricat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::48c35bf5964bd51796115187fafcec38
https://doi.org/10.1109/iedm.1985.190902
https://doi.org/10.1109/iedm.1985.190902
Autor:
B.A. Vojak, W.T. Lindley, Jack P. Salerno, S. Rabe, G.A. Lincoln, N. P. Economou, W.J. Piacentini, R. W. McClelland, Carl O. Bozler, D.C. Flanders, G.D. Alley, R.A. Murphy, Kirby B. Nichols, Michael W. Geis
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 29:1708-1708
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::133a3dad5156b7b36428fa0d554fb963
https://doi.org/10.1109/t-ed.1982.21007
https://doi.org/10.1109/t-ed.1982.21007
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.