Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"W.J. Parrish"'
Autor:
R.E. Leibenguth, W.J. Parrish, Robert A. Morgan, J.D. Blackwell, G.C. Bethea, J. W. Stayt, Barry F. Levine, K.G. Glogovsky, M.T. Asom
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 40:1957-1963
The authors discuss the development of a long-wavelength (8-14- mu m) 128*128 Al/sub x/Ga/sub 1-x/As/GaAs multiquantum well infrared (MQW IR) imaging system. Highly uniform, high-yield GaAs focal plane arrays, incorporating an integral grating struct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::889aea6829b8e37545ea870a78a8ded3
https://doi.org/10.1109/16.239734
https://doi.org/10.1109/16.239734
Autor:
W.J. Parrish, P.E. Allen
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 11:545-547
Inverting integrators are dependent upon the open-loop frequency response of the amplifier. Improvement in frequency performance of an order of magnitude is achieved with two-pole versus single-pole compensation for the same amplifier. Amplifier outp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7fce29b46cc56c84cd0ddd6d4128abd5
https://doi.org/10.1109/jssc.1976.1050772
https://doi.org/10.1109/jssc.1976.1050772
Publikováno v:
1980 International Electron Devices Meeting.
High value polysilicon resistors have been fabricated using conventional LSI processing and characterized over the temperature range 10°K - 300°K. The temperature dependance of resistivity has been measured for devices in the 108- 1010Ω range and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9bce7e32b4974f0cfcf73662ae1e18a4
https://doi.org/10.1109/iedm.1980.189882
https://doi.org/10.1109/iedm.1980.189882
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.