Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"W.F. Valek"'
Autor:
W.M. Urban, David C. Sheridan, John D. Cressler, Jeff B. Casady, C.E. Ellis, H. Buhay, R.M. Strong, W.F. Valek, Richard R. Siergiej, C.F. Seiler
Publikováno v:
Materials Science Forum. :1053-1056
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8681d7595320061afec6f3ff656c3289
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.1053
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.1053
Publikováno v:
Materials Science Forum. :989-992
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0431b087c9400eea21565f7d22d83d06
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.989
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.989
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 18:586-588
Silicon Carbide (4H-SiC), power UMOSFETs were fabricated and characterized from room temperature to 200/spl deg/C. The devices had a 12-/spl mu/m thick lightly doped n-type drift layer, and a nominal channel length of 4 /spl mu/m. When tested under F
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::027da79c105c6ca49390e8a51a7e1077
https://doi.org/10.1109/55.644079
https://doi.org/10.1109/55.644079
Publikováno v:
Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits.
A method for high-temperature, capless activation of implanted gallium arsenide has been devised based on the recent availability of high-purity semi-insulating PBN LEC gallium arsenide both as implant host and stabilizing medium.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::428ff14f98bfec8b3a7ad9b094e578ad
https://doi.org/10.1109/mcs.1983.1151036
https://doi.org/10.1109/mcs.1983.1151036
Publikováno v:
1997 55th Annual Device Research Conference Digest.
While the advantages of SiC power MOSFETs (both UMOS and DMOS type structures) are known, processing issues have prevented these devices from reaching commercial systems. We evaluate the 4H-SiC DMOS (DIMOS) structure and the 4H-SiC UMOS structure usi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::758fab9a572cbaf374408d0c876ce336
https://doi.org/10.1109/drc.1997.612463
https://doi.org/10.1109/drc.1997.612463
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.