Zobrazeno 1 - 10
of 111
pro vyhledávání: '"W.E. Wagner"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M.H. White, W.E. Wagner
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 47:2214-2220
Silicon carbide (SiC) epitaxial channel MOSFETs have been fabricated on 6H SiC substrates with N/sup +/ epitaxial source and drain electrodes. The electrical characteristics have been modeled in sub-pinchoff, depletion and accumulation modes of opera
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::605b9d46e080c5650840117d2306f9f4
https://doi.org/10.1109/16.877186
https://doi.org/10.1109/16.877186
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 16:274-276
The noise spectra for n-channel, depletion-mode MOSFETs fabricated in 6H-SiC material were measured from 1-10/sup 5/ Hz at room temperature. Devices were biased in the linear regime, where the noise spectra was found to be dependent upon the drain-to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bb540d76ca096f0efb3520bdd2281ed3
https://doi.org/10.1109/55.790733
https://doi.org/10.1109/55.790733
Autor:
R.H. Hopkins, Marvin H. White, W.E. Wagner, Anant K. Agarwal, M.C. Driver, C.D. Brandt, R.R. Siergiej
Publikováno v:
1995 53rd Annual Device Research Conference Digest.
Silicon Carbide (SiC) has enjoyed rapid success in discrete device development primarily due to the availability of single crystal wafers and the similarities which exist with present day silicon technologies. Some of the devices which have been fabr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f2436b72e0099ec61c25184a4d3dc38c
https://doi.org/10.1109/drc.1995.496287
https://doi.org/10.1109/drc.1995.496287
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.