Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"W.-T. Shiau"'
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 50:87-101
In this paper we present an overview of the development of advanced salicide processes at Texas Instruments, addressing both Ti and Co salicides. Scaling issues, such as sheet resistance of deep sub-micron structures for Ti salicide and diode leakage
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4a9cfb5238a2b31cd3777a2db170817b
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(99)00269-5
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(99)00269-5
Publikováno v:
2005 IEEE International SOI Conference Proceedings.
In this work, for 90nm PD-SOI CMOSFETs on Si substrate, the impacts of high tensile stress GC liner-SiN thicknesses on device performance and hot-carrier induced degradations were investigated. For nMOSFETs, devices with 700A GC liner-SiN possess app
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::274282a5d21e44c894879b76a74c4b0b
https://doi.org/10.1109/soi.2005.1563553
https://doi.org/10.1109/soi.2005.1563553
Autor:
C H Tung, B C Lan, P W Liu, C H Tsai, T F Chen, T Y Chang, C T Tsai, J W Pan, C T Huang, Y C Liu, W T Shiau
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::adfd24ecefd66ff2a10362c66f7dcccc
https://doi.org/10.7567/ssdm.2005.b-10-2
https://doi.org/10.7567/ssdm.2005.b-10-2
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b186fe6e6f7cd15fb2c5e6be8dbd3fa6
https://doi.org/10.7567/ssdm.2005.p3-16
https://doi.org/10.7567/ssdm.2005.p3-16
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::94b7514e35d67216fa48d40408d6ec28
https://doi.org/10.7567/ssdm.2005.p3-4
https://doi.org/10.7567/ssdm.2005.p3-4
Autor:
W.-T. Shiau, F.L. Terry
Publikováno v:
IEEE Technical Digest on Solid-State Sensor and Actuator Workshop.
It is shown that reoxidized nitrided oxides can offer both increased resistance to generation of interface states and insulator charge buildup due to bias-temperature stress for gate fields from 1-4 MV/cm and temperatures from 100-300 degrees C. Prel
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6dad4cf8ee1ff3ed5192ad8351289a4a
https://doi.org/10.1109/solsen.1988.26445
https://doi.org/10.1109/solsen.1988.26445
Publikováno v:
30th Annual Proceedings Reliability Physics 1992.
Experimental results are presented of an investigation designed to develop an understanding of the physical mechanisms and the process inputs causing reduced hot carrier reliability in BiCMOS npn transistors. The overall objective is to correlate and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e8055cbbe53b9f5a08b6223abf569605
https://doi.org/10.1109/relphy.1992.187623
https://doi.org/10.1109/relphy.1992.187623
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.