Zobrazeno 1 - 10
of 661
pro vyhledávání: '"W.-F. Wu"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 1277-1283 (2019)
In this study, we discuss Si-SiGe etch characteristics as well as SiGe surface composition modification. It is required to etch Si and SiGe simultaneously for Si/SiGe dual channel Fin-FETs. Therefore, etch control of these two materials is desired. H
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0904d1c47b044106ad820e8db52f92ce
Autor:
M.-S. Yeh, G.-L. Luo, F.-J. Hou, P.-J. Sung, C. J. Wang, C.-J. Su, C.-T. WU, Y.-C. Huang, T.-C. Hong, B.-Y. Chen, K.-M. Chen, Y.-C. WU, M. Izawa, M. Miura, M. Morimoto, H. Ishimura, Y.-J. Lee, W.-F. Wu, W.-K. Yeh
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 1227-1232 (2018)
Improved electrical characteristics of CMOS inverters composed of Ge n- and p-finFETs were demonstrated by utilizing newly introduced Ge surface treatments. In-situ digital O3 treatment in ALD chamber was adopted on the surface of Ge fin sidewall in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a5f5f525abe24ceda9f3e6d0178335bc
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-1 (2024)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/181362d406b64946902adfcdbdc04663
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C.-Y. Yang, P.-J. Sung, M.-H. Chuang, C.-W. Chang, Y.-J. Shih, T.-Y. Huang, D. D. Lu, T.-C. Hong, X.-R. Yu, W.-H. Lu, S.-W. Chang, J.-J. Tsai, M.-K. Huang, T.-C. Cho, Y.-J. Lee, K.-L. Luo, C.-T. Wu, C.-J. Su, K.-H. Kao, T.-S. Chao, W.-F. Wu, Y.-H. Wang
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Autor:
X.-R. Yu, M.-H. Chuang, S.-W. Chang, W.-H. Chang, T.-C. Hong, C.-H. Chiang, W.-H. Lu, C.-Y. Yang, W.-J. Chen, J.-H. Lin, P.-H. Wu, T.-C. Sun, S. Kola, Y.-S. Yang, Yun Da, P.-J. Sung, C.-T. Wu, T.-C. Cho, G.-L. Luo, K.-H. Kao, M.-H. Chiang, W. C.-Y. Ma, C.-J. Su, T.-S. Chao, T. Maeda, S. Samukawa, Y. Li, Y.-J. Lee, W.-F. Wu, J.-H. Tarng, Y.-H. Wang
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.