Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"W. v. Muench"'
Autor:
W. v. Muench, H. Statz
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 9:939-942
The technique of tin and zinc diffusion from doped pyrolytic SiO2-layers has been used to form the base regions of planar npn- and pnp-GaAs-transistors. By a suitable sequence of deposition and photoresist processes it is possible to obtain a pattern
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eedcf75bf46c26bec14c5b60684710c9
https://doi.org/10.1016/0038-1101(66)90069-4
https://doi.org/10.1016/0038-1101(66)90069-4
Autor:
W. v. Muench, I. Pfaffeneder
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 48:4831-4833
The electrical breakdown of one‐sided abrupt p‐n junctions in 6H silicon carbide has been investigated. The diodes are produced by vapor growth and mesa etching. Breakdown fields in the range (2–3.7) ×106 V/cm have been observed for p layers w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::511e48153b9a6b5298bad0495f2e1634
https://doi.org/10.1063/1.323509
https://doi.org/10.1063/1.323509
Autor:
W. v. Muench, E. Pettenpaul
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 48:4823-4825
The saturated electron drift velocity has been measured in epitaxial 6H silicon carbide layers. The saturation occurs at an electric field of approximately 2×105 V/cm. The saturated drift velocity is 2×107 cm/s at room temperature, i.e., a factor o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::30979a6b2a32997391af93968f776c9c
https://doi.org/10.1063/1.323506
https://doi.org/10.1063/1.323506
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.