Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"W. Wiertsema"'
Autor:
Geert J. T. Davids, Jan W. Slotboom, A.G. van der Sijde, G. Streutker, W. Wiertsema, P.B. Hartog
Publikováno v:
Le Journal de Physique Colloques. 49:C4-41
A new double polysilicon gate technology for an 835 Kbit CCD video memory with a cell of 4×4 ?m2 [1] is presented. The spacer technology for the LDD MOSFET's is integrated in the isolation of the double poly CCD structure. This makes the CCD fully c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dc4858f3fdcfb3669caecf3ed118917f
https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988407
https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988407
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.