Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"W. Uesato"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 6:22-27
Two contact engineering methods developed for submicron contact openings are described. The two methods, SCOPE (simultaneous contact and planarization etch) and PACE (planarization after contact etch), interchange the process sequences of dielectric
Publikováno v:
1991 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications - Proceedings of Technical Papers.
As CMOS device geometries shrink to below half micron sizes, contact and metal design rules have become the limiting factors for increasing circuit packing density. In order to reduce the contact and metal features accordingly, the process integratio
Publikováno v:
International Technical Digest on Electron Devices.
Summary form only given. A novel approach is used to form a selective CVD (chemical-vapor-deposited) W plug on a Ti silicide surface by adding a nucleation layer in the contact hole. The technique is called SANIC (self-aligned nucleation layer format
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.