Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"W. Tothemund"'
Publikováno v:
Applied physics. 21:151-158
Oxygen profiles in silicon implanted with energies between 2 and 20 MeV by means of a Tandem accelerator have been investigated with a microprobe after bevelling the sample surface. It is shown that the measured profiles correspond to the implantatio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bb1d89345e6c872a5abc1cf33697f342
https://doi.org/10.1007/bf00900677
https://doi.org/10.1007/bf00900677
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.