Zobrazeno 1 - 10
of 71
pro vyhledávání: '"W. Rzodkiewicz"'
Publikováno v:
The Scientific World Journal, Vol 2013 (2013)
Three samples with dielectric layers from high-κ dielectrics, hafnium oxide, gadolinium-silicon oxide, and lanthanum-lutetium oxide on silicon substrate were studied by Raman spectroscopy. The results obtained for high-κ dielectrics were compared w
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/776dc634278f48109b5623ff84b5ca02
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J Ireland, P G Reuvekamp, J M Williams, D Peral, J Díaz de Aguilar, Y A Sanmamed, M Šíra, S Mašláň, W Rzodkiewicz, P Bruszewski, G Sadkowski, A Sosso, V Cabral, H Malmbekk, A Pokatilov, J Herick, R Behr, T Coşkun Öztürk, M Arifoviç, D Ilić
Publikováno v:
Measurement Science and Technology. 34:015003
A method for traceability to SI for ac voltage and current based on high performance digitizers is presented. In contrast to the existing thermal-based methods, the proposed method utilizes direct traceability to quantum-based waveforms via the use o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c20e1d26dc1111d502e7617dd80bb958
https://doi.org/10.1088/1361-6501/ac9542
https://doi.org/10.1088/1361-6501/ac9542
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Agata Jasik, Z. Orman, Jacek Szade, E. Papis-Polakowska, Andrzej Wawro, Jaroslaw Jurenczyk, J. Kaniewski, W. Rzodkiewicz
Publikováno v:
Thin Solid Films. 567:77-81
The effect of (NH 4 ) 2 S-based chemical treatment on type-II InAs/GaSb superlattice has been investigated. X-ray photoelectron spectroscopy and spectroscopic ellipsometry together with the fractional derivative spectrum model have been used for surf
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6ee4bfd3bfd961c5a0c796f08ef61d73
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.07.044
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.07.044
Publikováno v:
Acta Physica Polonica A. 123:956-959
Dielectric Function of Native Oxide on Ion-Implanted GaAs M. Kulika,∗, W. Rzodkiewicz, . Gluba and A.P. Kobzev Institute of Physics, Maria Curie-Skaodowska University, pl. M. Curie-Skaodowskiej 1, 20-031 Lublin, Poland Institute of Electron Techn
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f65f8d4e6762a542f64caca2629c1bae
https://doi.org/10.12693/aphyspola.123.956
https://doi.org/10.12693/aphyspola.123.956
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 176:340-343
Semi-insulating (1 0 0) GaAs single crystalline substrates have been doubly Al + -implanted using ion beams of the 250 keV energy and the fluence F = 3.5 × 10 16 cm −2 , and 100 keV with F = 9.6 × 10 15 cm −2 at six target temperatures ranging
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cadc03cab533e0d1e3814cd9c0e1fcca
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2011.01.001
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2011.01.001
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Kulik, Wolfgang Skorupa, Jerzy Żuk, W. Rzodkiewicz, Alexander P. Kobzev, Halina Krzyzanowska
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids 355(2009)24-27, 1347-1354
In this work, refractive index and extinction coefficient spectra of germanium nanoclusters - rich SiO2 layers have been determined using variable angle spectroscopic ellipsometry (VASE) in the 2501000 nm range. The samples were produced by Ge+ ion i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::211e8f7cc14ef50a7b5eadd0232ebeca
https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2009.05.024
https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2009.05.024
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 61:997-1001
Changes in some electrical and photoelectric parameters in the plane of aluminum gate, particularly in the effective contact potential difference (ECPD or MS factor) have been observed in MOS System Studies Department of Institute of Electron Technol
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0d29f8bc1a1e914e71aef961e2ada749
https://doi.org/10.1088/1742-6596/61/1/197
https://doi.org/10.1088/1742-6596/61/1/197