Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"W. Nissl"'
Integration of high-performance, low-leakage and mixed signal features into a 100 nm CMOS technology
Autor:
Thomas Schafbauer, S. Sportouch, Baozhen Li, Pak Leung, Y. H. Lin, Yi-Cheng Chen, Yimin Huang, Phung T. Nguyen, Chuan Lin, Shih-Fen Huang, Ming-Tsan Lee, A. Olbrich, Philipp Riess, J. Brighten, G. Knoblinger, Andy Cowley, U. Hodel, A. Grassmann, W. Nissl, Dirk Vietzke, Kun-Chi Lin, Larry Clevenger, Kai Esmark, Robert C. Wong, Hsiang-Jen Huang, C. Wann, M. Commons, Alan J. Leslie, T. Schiml, Martin Wendel, Qiuyi Ye, Erdem Kaltalioglu, Nivo Rovedo, Alvin G. Thomas
Publikováno v:
2002 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.01CH37303).
Low voltage operation in sub-0.25 /spl mu/m requirements mean that the simultaneous integration of all components on a single chip - high performance, low leakage and mixed-signal components - is crucial. In this paper, we present the successful inte
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.