Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"W. M. Lv"'
Autor:
Y. L. Zhao, W. M. Lv, Z. Q. Liu, S. W. Zeng, M. Motapothula, S. Dhar, Ariando, Q. Wang, T. Venkatesan
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 2, Iss 1, Pp 012129-012129-6 (2012)
TiO2 thin films are of importance in oxide electronics, e.g., Pt/TiO2/Pt for memristors and Co-TiO2/TiO2/Co-TiO2 for spin tunneling devices. When such structures are deposited at a variety of oxygen pressures, how does TiO2 behave as an insulator? We
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4494f8757b0643b19e47c072a4e0bbbd
Autor:
Mengsha Li, Jingsheng Chen, Zhen Huang, Ariando Ariando, Stephen J. Pennycook, Kaiyang Zeng, Yong Zhang, Zhi Shiuh Lim, C. G. Li, W. X. Zhou, Juanxiu Xiao, Shengwei Zeng, Haijun Wu, Changjian Li, Rui Guo, W. M. Lv, Kun Han, Jun Zhou, Ping Yang, Soo Jin Chua, Thirumalai Venkatesan, Yuan Ping Feng, Han Wang
Publikováno v:
Communications Physics, Vol 2, Iss 1, Pp 1-8 (2019)
Integrating multiple properties in a single system is crucial for the continuous developments in electronic devices. However, some physical properties are mutually exclusive in nature. Here, we report the coexistence of two seemingly mutually exclusi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::08b38e53671b06dfb8d3d7cda831b216
http://link.springer.com/article/10.1038/s42005-019-0227-4
http://link.springer.com/article/10.1038/s42005-019-0227-4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
L. K. Jian, Zhen Huang, Changjian Li, Ariando, T. S. Herng, Yongqian Zhao, Shengwei Zeng, Kalon Gopinadhan, Jun Ding, W. M. Lv, Ping Yang, Nina Bao, Thirumalai Venkatesan, H. J. Harsan Ma, Zhiqi Liu
Publikováno v:
Physical Review B. 92
We use ionic liquid-assisted electric field effect to tune the carrier density in an electron-doped cuprate ultrathin film and cause a two-dimensional superconductor-insulator transition (SIT). The low upper critical field in this system allows us to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::aacd4ef8fb729e2355775154e15aad44
https://doi.org/10.1103/physrevb.92.020503
https://doi.org/10.1103/physrevb.92.020503
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Thirumalai Venkatesan, Zhiqi Liu, Yongqian Zhao, Shengwei Zeng, Qing Wang, Sankar Dhar, Mallikarjuna Rao Motapothula, W. M. Lv, Ariando
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 2, Iss 1, Pp 012129-012129-6 (2012)
TiO2 thin films are of importance in oxide electronics, e.g., Pt/TiO2/Pt for memristors and Co-TiO2/TiO2/Co-TiO2 for spin tunneling devices. When such structures are deposited at a variety of oxygen pressures, how does TiO2 behave as an insulator? We
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::345989927c80dda945d0c033d651c877
https://doi.org/10.1063/1.3682346
https://doi.org/10.1063/1.3682346
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 103:096105
The substrate induced anisotropic strain was found to have a significant effect on the charge ordering (CO) transition and surface morphology in Bi0.4Ca0.6MnO3 films deposited on (110)- and (111)-oriented SrTiO3 substrates. Effects of film thickness
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a7970d0e3ea2e0c7ebe64ca51607e7b4
https://doi.org/10.1063/1.2908222
https://doi.org/10.1063/1.2908222
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.