Zobrazeno 1 - 10
of 68
pro vyhledávání: '"W. Krautschneider"'
Publikováno v:
Thin Solid Films. 443:97-107
Chemical vapor deposition of tungsten silicide into high aspect ratio trenches has been investigated using a commercial 8-inch Applied Materials Centura single wafer deposition tool. For an in-depth study of both step coverage and stoichiometry, a co
Publikováno v:
Proceedings of the 30th European Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.04EX850).
A simulation framework has been developed for fast and accurate calculation of MOS transistor characteristics. It is based on an optimized table model so that it can be run solely using experimental or simulated I-V data, i.e. without any time-consum
Autor:
W. Krautschneider, F. Hofmann
Publikováno v:
Proceedings of the 1989 International Conference on Microelectronic Test Structures.
In order to determine the relationship between channel length and interface state density, a test structure with sets of n-channel and p-channel transistors having different channel lengths was used. The transistors had the same width and were situat
Publikováno v:
Technical Digest., International Electron Devices Meeting.
Dynamic degradation effects in CMOS (complementary metal oxide semiconductor) inverters are investigated by monitoring the frequency shift of ring oscillators. Gate delay times down to 0.18 ns are used. A stress-time dependence of the degradation was
Autor:
Alexander Gschwandtner, R. Kakoschke, J. Felsner, Gudrun Innertsberger, B. Yuwono, R. Jurk, W. Krautschneider, T. Schlösser
Publikováno v:
MRS Proceedings. 567
The influence of Vapor Phase Precleans leads to a different controllable fluorine content within the subsequently grown dielectric. The influence of the clean is discussed for non-volatile memory devices, advanced MOS transistors and ultra thin gate
Publikováno v:
2006 European Solid-State Device Research Conference; 2006, p391-394, 4p
Publikováno v:
2006 European Solid-State Device Research Conference; 2006, p250-253, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.