Zobrazeno 1 - 10
of 9 041
pro vyhledávání: '"W. Ka"'
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Seifeddine Fakhfakh, Samira Driad, Philippe Fellon, Manfred Madel, Linh Trinh-Xuan, Herve Blanck, Marc Camiade
Publikováno v:
2022 17th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::205acec99c65a599263466ccdac7b787
https://doi.org/10.23919/eumic54520.2022.9922963
https://doi.org/10.23919/eumic54520.2022.9922963
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Allen Katz, Amel Maati, Roger Dorval, Philippe Augoyat, Gregory Mouchon, Guillaume Le Rhun, James Belluot, Bob Gray
Publikováno v:
2019 49th European Microwave Conference (EuMC).
In this paper the design and realization of a 40 W Ka band RF chain developed for use in space, and based on solid-state GaN COTS components is presented. The aim is to verify the feasibility, in terms of power combining, transition/topology, thermal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1ee4e2b90c89503e1e75a0ea22dea30a
https://doi.org/10.23919/eumc.2019.8910934
https://doi.org/10.23919/eumc.2019.8910934
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
BCICTS
This paper presents single and dual output 40 W Ka-Band GaN MMIC PAs fabricated on $\mathbf{50} \ \mu \text{m}$ SiC using Qorvo's QGaN15 released process. The single output PA produces approximately 40 W of output power over the 27.5 - 29.5 GHz band
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b5161cf1a3b00df3d665ff16e8957f16
https://doi.org/10.1109/bcicts.2018.8551075
https://doi.org/10.1109/bcicts.2018.8551075
Publikováno v:
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science. 26:1083-1090
Ka 대역의 25 W급 SSPA를 제작하기 위하여 상용 0.15 μm GaN 공정을 이용 구동증폭기(Drive Amplifier : DRA) 및 고출력증폭기(High Power Amplifier : HPA) 초고주파 단일 집적회로(Monolithic Microwave Integrated Circui
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::05b93900b2f4617d895993a573757bac
https://doi.org/10.5515/kjkiees.2015.26.12.1083
https://doi.org/10.5515/kjkiees.2015.26.12.1083
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Navid Hosseinzadeh, Ali Medi
Publikováno v:
IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 26:622-624
This letter presents a Ka-Band 0.1- $\mu\text{m}$ GaAs pHEMT Power Amplifier with broad bandwidth. The isolating backvia wall (IBVW) has been proposed to improve the stability and performance. Over the frequency band of 31–40 GHz, implemented PA de
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ba40e82123f84782d7c9e93acab15e3d
https://doi.org/10.1109/lmwc.2016.2587834
https://doi.org/10.1109/lmwc.2016.2587834