Zobrazeno 1 - 10
of 238
pro vyhledávání: '"W. J. Shin"'
Publikováno v:
Hydrology and Earth System Sciences, Vol 15, Iss 8, Pp 2551-2560 (2011)
This work presents a study of the dissolved inorganic carbon (DIC) exchange associated with groundwater discharge and stream flow from two upstream catchments with distinct basement lithologies (silicate vs. carbonate). The effects of catchment litho
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5593d41a44ac48b196f96bd00d0419b3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Pandey, X. Liu, Z. Deng, W. J. Shin, D. A. Laleyan, K. Mashooq, E. T. Reid, E. Kioupakis, P. Bhattacharya, Z. Mi
Publikováno v:
Physical Review Materials. 3
An epitaxial growth process, referred to as metal-semiconductor junction assisted epitaxy, of ultrawide bandgap aluminum gallium nitride (AlGaN) is disclosed. The epitaxy of AlGaN is performed in metal-rich (e.g., Ga-rich) conditions using plasma-ass