Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"W. Imler"'
Autor:
Daniel A. Steigerwald, M. J. Ludowise, W. Imler, H. Liu, J. Amano, C. P. Kuo, Steven D Lester, Changhua Chen, M. G. Craford
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 25:1004-1008
The growth of AlGaN using organometallic vapor phase epitaxy has been studied as a function of reactor pressure in a horizontal reactor. At atmospheric pressure, GaN with growth efficiency comparable to that of GaAs in the same reactor is obtained. I
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e09e3aaf275de98f86958a09ed0c2a57
https://doi.org/10.1007/bf02666736
https://doi.org/10.1007/bf02666736
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 68:3144-3146
The electronic properties of Si donors in heteroepitaxial layers of GaN were investigated. The n‐type GaN layers were grown by metalorganic chemical vapor deposition and either intentionally doped with Si or unintentionally doped. The samples were
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b403bfd2680fe5713b834fe34017ea61
https://doi.org/10.1063/1.115805
https://doi.org/10.1063/1.115805
Autor:
Stephen W. Imler
Publikováno v:
Journal for healthcare quality : official publication of the National Association for Healthcare Quality. 19(6)
Providers will continue to experience increasing pressure to demonstrate cost-effective, high-quality care. For relevant comparisons between providers, outcomes must be evaluated with respect to severity of illness and mortality risk. However, most h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3863880c9e9c9fcbbfc9b7146b8c3de2
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/10174392
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/10174392
Autor:
S. S. Ruvimov, Joel W. Ager, W. Swider, Hiroshi Amano, Zuzanna Liliental-Weber, C F Kisielowski, Jack Washburn, Tadeusz Suski, W. Imler, Chun-Wen Kuo, Yan-Feng Chen, Isamu Akasaki
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
The influence of Si doping on the structure of GaN grown by metal-organic chemicalvapor deposition (MOCVD) has been studied using transmission electron microscopy (TEM), x-ray diffraction and Raman spectroscopy. Undoped and low Si doped samples were
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5f01b6a978ad72b4c3785e2158596d06
https://doi.org/10.1557/proc-423-487
https://doi.org/10.1557/proc-423-487
Publikováno v:
MRS Proceedings. 395
The parasitic reactions between ammonia and commonly used alkyls have been studied in a horizontal OMVPE reactor. The results indicate that parasitic reactions between TMA1 and NH3 is severe, leading to the necessity to grow A1N at low reactor pressu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c335aedbc49ed6f0a498e65c66d5c62b
https://doi.org/10.1557/proc-395-103
https://doi.org/10.1557/proc-395-103
Publikováno v:
MRS Proceedings. 395
Shallow and deep electronic defects in MOCVD-grown GaN were characterized by variable temperature Hall effect measurements, deep level transient spectroscopy (DLTS) and photoemission capacitance transient spectroscopy (O-DLTS). Unintentionally and Si
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f886dfc60859284aad340ef868fd3a20
https://doi.org/10.1557/proc-395-443
https://doi.org/10.1557/proc-395-443
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.