Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"W. Ehrlinger"'
Publikováno v:
2000 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.00CH37017).
Flip-chip interconnects with 80 /spl mu/m bumps are optimized for 38 GHz by means of electromagnetic simulation. Thin-film microstrip is used as transmission-line on the carrier substrate. A compensation structure reduces reflections at the interconn
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::57f129faf8535183cf1a34cc83e0daf9
https://doi.org/10.1109/mwsym.2000.860887
https://doi.org/10.1109/mwsym.2000.860887
Publikováno v:
1995 25th European Microwave Conference.
A versatile amplitude controller is presented, which is intended for phased array applications or QAM-modulators operating directly at the desired radio frequency. Due to the small geometry and the 0.2 ?m GaAs/GaAIAs HEMT technology, a bandwidth from
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8fd39a18a22b50c1572245371eb4521d
https://doi.org/10.1109/euma.1995.337096
https://doi.org/10.1109/euma.1995.337096
Publikováno v:
1994 24th European Microwave Conference.
GaAs-MMICs are of increasing importance for telecommunications equipment, consumer electronics, and traffic management systems. We have had previously developed, a number of different basic GaAs-IC-modules; many of them operating from almost DC up to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2bf0df9f36cdf9006985694bcb34e2ea
https://doi.org/10.1109/euma.1994.337269
https://doi.org/10.1109/euma.1994.337269
A monolithic integrated wide-band amplifier is presented, which consists of two 0.3 μm HEMT-stages in GaAs/GaAlAs-Technology. The main signal path consists of a coplanar waveguide, which interfaces conveniently to the HEMT-cells. A feedback circuit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f10ae03d8cc48cfa5f08b8844b4f1016
Publikováno v:
1990 20th European Microwave Conference.
A monolithic integrated amplifier in HFET-Technology for the 27 GHz band is presented, fitted for the use in digital radio link front ends with dedicated in- and out-of-band specifications. The amplifier consists of two stages of 0.5 μm HFETs and so
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f33f06affa499b19c94f891db1d5d0aa
https://doi.org/10.1109/euma.1990.336186
https://doi.org/10.1109/euma.1990.336186
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.