Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"W. Boulais"'
Autor:
Thomas E. Kazior, A. Platzker, S. Shanfield, M. Vafiades, J.C. Huang, A. Bertrand, M. Niedzwiecki, L. Aucoin, W. Boulais
Publikováno v:
15th Annual GaAs IC Symposium.
The authors study the effect of channel dimensions on the millimeter-wave power performance of a double-recessed pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT). The choice of channel recess dimension, specifically the gate to drain n+ ledge
Publikováno v:
1994 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.94CH3389-4).
A first-pass, three stage monolithic GaAs pseudomorphic HEMT power amplifier has been developed for use over the 40 GHz to 45 GHz band. The MMIC amplifier delivers 500 to 725 mW at the one dB gain compression point. The associated power gain is 10 to
Autor:
S. Shanfield, A. Miquelarena, A. Platzker, C. Bedard, William E. Hoke, D. Atwood, P. Saledas, P. Lyman, J. Wendler, W. Boulais, J.C. Huang, L. Aucoin
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 14:456-458
A double-recessed 0.2- mu m-gate-length pseudomorphic HEMT (PHEMT) has been demonstrated with 500 mW of output power (833 mW/mm of gate periphery), 6-dB gain, and 35% power-added efficiency (PAE) at 32 GHz. At 44 GHz, the device exhibited 494 mW of o
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.