Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"W. Afoh"'
Autor:
C. Sinn, Srinivasan Rangarajan, Emily M. Hwang, J. Scarano, Jeffrey J. Brown, W. Afoh, W. Brennan, R. Van Roijen, R. Keyser, S. Conti
Publikováno v:
2012 SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference.
Embedded SiGe is widely used to boost the performance of the pFET device at recent technology nodes. We show that the thickness of the deposited SiGe layer has a strong impact on critical device parameters, which implies we require all process steps
Publikováno v:
2010 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC).
Embedded SiGe is applied in CMOS at recent technology nodes to improve device performance and enable scaling. The position of the SiGe surface with respect to the channel is found to have significant impact on the pFET threshold voltage and also on d
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.