Zobrazeno 1 - 10
of 185
pro vyhledávání: '"W Y, Fu"'
Autor:
J. T. Griffiths, T. Zhu, F. Oehler, R. M. Emery, W. Y. Fu, B. P. L. Reid, R. A. Taylor, M. J. Kappers, C. J. Humphreys, R. A. Oliver
Publikováno v:
APL Materials, Vol 2, Iss 12, Pp 126101-126101-5 (2014)
Non-polar (11-20) InGaN quantum dots (QDs) were grown by metal organic vapour phase epitaxy. An InGaN epilayer was grown and subjected to a temperature ramp in a nitrogen and ammonia environment before the growth of the GaN capping layer. Uncapped st
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/36f8b25e2cc5498790b171d574ea0cf9
Autor:
Benjamin Damilano, Jean-Yves Duboz, W. Y. Fu, Ph. Boucaud, Hyonju Kim-Chauveau, H. Zi, P. de Mierry, Hoi Wai Choi, Farsane Tabataba-Vakili, Fabrice Semond, Eric Frayssinet
Publikováno v:
Optics Express
Optics Express, Optical Society of America-OSA Publishing, 2021, 29 (14), pp.21280. ⟨10.1364/OE.427727⟩
Optics Express, Optical Society of America-OSA Publishing, 2021, 29, ⟨10.1364/oe.427727⟩
Optics Express, Optical Society of America-OSA Publishing, 2021, 29 (14), pp.21280. ⟨10.1364/OE.427727⟩
Optics Express, Optical Society of America-OSA Publishing, 2021, 29, ⟨10.1364/oe.427727⟩
Microdisks fabricated with III-nitride materials grown on GaN substrates are demonstrated, taking advantage of the high material quality of homoepitaxial films and advanced micro-fabrication processes. The epitaxial structure consists of InGaN/GaN mu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::402c59c9d8c7e54569824be5ce09dd50
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/34265918
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/34265918
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 119:101106
The combination of high-quality factors and small mode volumes in whispering-gallery-mode (WGM) resonators promotes significantly enhanced light-matter interactions, making them excellent cavities for achieving compact semiconductor lasers with low t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d0d05081cc7a73e5253714350ef58257
https://doi.org/10.1063/5.0060830
https://doi.org/10.1063/5.0060830
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C J, Humphreys, J T, Griffiths, F, Tang, F, Oehler, S D, Findlay, C, Zheng, J, Etheridge, T L, Martin, P A J, Bagot, M P, Moody, D, Sutherland, P, Dawson, S, Schulz, S, Zhang, W Y, Fu, T, Zhu, M J, Kappers, R A, Oliver
Publikováno v:
Ultramicroscopy. 176
We have used high resolution transmission electron microscopy (HRTEM), aberration-corrected quantitative scanning transmission electron microscopy (Q-STEM), atom probe tomography (APT) and X-ray diffraction (XRD) to study the atomic structure of (000
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::02a9cde4621c90a36afe57e355f9b118
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/28196629
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/28196629
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
