Zobrazeno 1 - 10
of 64
pro vyhledávání: '"W Geens"'
Autor:
W. Geens, S. Du Four, S. Van Laere, J.K. Schwarze, G. Awada, J. Tijtgat, M. Bruneau, H. Everaert, B. Neyns, J. Duerinck
Publikováno v:
Brain and Spine, Vol 2, Iss , Pp 101503- (2022)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/14717766f5ed4134b3608f59872c6755
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
W Geens, J K Schwarze, G Awada, J Tijtgat, L Lescrauwet, X Geeraerts, F Vaeyens, L Cras, A Van Binst, H Everaert, A Michotte, T Cauwenbergh, M Bruneau, R Forsyth, S Tuyaerts, B Neyns, J Duerinck
Publikováno v:
Neuro-Oncology. 24:ii38-ii39
Background Perioperative intracerebral (iCE) administration of ipilimumab (IPI) and nivolumab (NIVO) in combination with IV NIVO was shown to be feasible, safe and associated with an encouraging survival benefit (Duerinck et al. JITC 2021). In subseq
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7ded41339fa994125617d6a6d3fe97b3
https://doi.org/10.1093/neuonc/noac174.129
https://doi.org/10.1093/neuonc/noac174.129
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 11:291-294
The impact of metallic impurities on the carrier lifetime in Ge is studied by using microwave probed photo-conductivity relaxation and photo-conductivity quenching spectroscopy techniques. Carrier decay transients are examined using a wide range of e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b4055fc55118398feed8907688841303
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2008.07.009
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2008.07.009
Autor:
Marc Meuris, P. Śpiewak, Frank Holsteyns, Jan Vanhellemont, Philippe Roussel, K. Młynarczyk, J. Van Steenbergen, W Geens, Igor Romandic
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 19:24-31
High yield processing of advanced integrated devices poses stringent demands on substrate and active device layer quality. Wafers have to be free of electrically active defects and should therefore be free of so called large pit defects and Crystal O
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3221cb7c33536839273aa182449b68a0
https://doi.org/10.1007/s10854-008-9579-3
https://doi.org/10.1007/s10854-008-9579-3
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. :222-225
Results are presented of a comparative study of the dependence of carrier recombination characteristics on excitation and dopant concentration in Si and Ge. The bulk lifetime observations are simulated by combining the Shockley–Read–Hall model wi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::12c8be0ee4594aa0a39b550330bd7366
https://doi.org/10.1016/j.physb.2007.08.151
https://doi.org/10.1016/j.physb.2007.08.151
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.