Zobrazeno 1 - 10
of 574
pro vyhledávání: '"Vu, Tuan V."'
Autor:
Kartamyshev, A.I., Hieu, Nguyen N., Poklonski, N.A., Hieu, Nguyen V., Vu, Tuan V., Lavrentyev, A.A., Phuc, Huynh V.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 1 March 2025 187
Autor:
Vu, Tuan V., Kartamyshev, A.I., Nguyen, Minh D., Pham, Khang D., Trinh, Thuat T., Nhuan, Nguyen P., Hien, Nguyen D.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing October 2024 181
Autor:
Vu, Tuan V., Hiep, Nguyen T., Phuc, Huynh V., Hoi, Bui D., Linh, Tran P.T., Kartamyshev, A.I., Hieu, Nguyen N.
Publikováno v:
In Surfaces and Interfaces September 2024 52
Autor:
Pham, Duong Dinh, Ho, Thi H., Cao, Anh Ngoc T., Vu, Tuan V., Doan, Thi Luu Luyen, Vo, Dai-Viet N., Nguyen, Dang Le Tri, Nguyen, Tung M.
Publikováno v:
In Chemical Engineering Journal 1 September 2024 495
Autor:
Batouche, M., Seddik, T., Ouerghui, W., Abdallah, H. Ben, Khyzhun, O.Y., Vu, Tuan V., Vo, Dat D.
Publikováno v:
In Chemical Physics 1 September 2024 585
Publikováno v:
In Chemical Physics 1 June 2024 582
Induced Ferromagnetism in bilayer Hexagonal Boron Nitride (h-BN) on vacancy defects at B and N sites
Autor:
Chettri, B., Patra, P. K., Vu, Tuan V., Lalrinkima, Yaya, Abu, Obodo, Kingsley O., Tran, Ngoc Thanh Thuy, Laref, A., Rai, D. P.
We investigated the electronic and optical properties of bilayer AB stacked Boron and Nitrogen vacancies in hexagonal Boron Nitride (h-BN) using density functional theory (DFT). The density of states (DOS) and electronic band structure showed that Bo
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2003.09611
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Batouche, M., Seddik, T., Vu, Tuan V., Ouerghui, W., Hemidi, Dj, Vo, Dat D., Khyzhun, O.Y., Hieu, Nguyen N.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing September 2023 164