Zobrazeno 1 - 10
of 108
pro vyhledávání: '"Vth transient"'
Publikováno v:
2006 International Electron Devices Meeting.
Highly reliable characterization of fast transient in NBTI is achieved by performing initial and stressed I ? V measurements in ultra-short time (100 ns). We further provide evidences that reaction-diffusion (R-D) model can not explain the fast trans
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2baf06a21beb7d88252cef02d036825d
https://doi.org/10.1109/iedm.2006.346776
https://doi.org/10.1109/iedm.2006.346776
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
E. Canato, A. Stockman, A. Banerjee, Peter Moens, F. Masin, Matteo Meneghini, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, Matteo Borga
Publikováno v:
IRPS
We propose a technique to evaluate the time-dependence of the threshold voltage instabilities in GaN-based normally-off transistors under positive gate bias. More specifically: (i) for the first time we experimentally evaluate the V th shift in a wid
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e2024135351a978c18db43d03b9e5d18
https://doi.org/10.1109/irps.2019.8720549
https://doi.org/10.1109/irps.2019.8720549
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mukherjee, Kalparupa1 (AUTHOR) desantic@dei.unipd.it, De Santi, Carlo1 (AUTHOR) gauss@dei.unipd.it, Borga, Matteo2 (AUTHOR) matteo.borga@imec.be, You, Shuzhen2 (AUTHOR) shuzhen.you@imec.be, Geens, Karen2 (AUTHOR) karen.geens@imec.be, Bakeroot, Benoit3 (AUTHOR) benoit.bakeroot@imec.be, Decoutere, Stefaan2 (AUTHOR) stefaan.decoutere@imec.be, Meneghesso, Gaudenzio1 (AUTHOR) zanoni@dei.unipd.it, Zanoni, Enrico1 (AUTHOR) matteo.meneghini@unipd.it, Meneghini, Matteo1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Materials (1996-1944). 11/1/2020, Vol. 13 Issue 21, p4740-4740. 1p.
Autor:
Ťapajna, M., Jurkovič, M., Válik, L., Haščík, Š., Gregušová, D., Brunner, F., Cho, E.-M., Hashizume, T., Kuzmík, J.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 116 Issue 10, p1-7, 7p, 1 Color Photograph, 1 Chart, 4 Graphs
Autor:
Tˇapajna, M., Jurkovicˇ, M., Válik, L., Hasˇcˇík, Sˇ., Gregusˇová, D., Brunner, F., Cho, E.-M., Kuzmík, J.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 6/17/2013, Vol. 102 Issue 24, p243509, 4p, 4 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 3/28/2021, Vol. 129 Issue 12, p1-28, 28p
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Oct2023, Vol. 52 Issue 5, p439-468, 30p
Autor:
Abdelmadjid Benabdelmoumene, Djezzar, Boualem, Messaoud, Dhiaelhak, Boubaaya, Mohamed, Chenouf, Amel, Zatout, Boumediene
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Oct2023, Vol. 52 Issue 5, p429-438, 10p