Zobrazeno 1 - 8 of 8 pro vyhledávání: '"Vriezema, C. J."'
1
Akademický článek
Co diffusion and precipitation in Si/SiGe heterostructures.
Autor: Dekempeneer, E. H. A., Zalm, P. C., Vriezema, C. J., van den Heuvel, R. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1991, Vol. 70 Issue 8, p4263, 5p, 1 Black and White Photograph, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
An effective barrier against the interdiffusion of iron and zinc dopants in InP.
Autor: Young, E. W. A., Fontijn, G. M., Vriezema, C. J., Zalm, P. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1991, Vol. 70 Issue 7, p3593, 7p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Impurity migration during SIMS depth profiling.
Autor: Vriezema, C. J., Zalm, P. C.
Publikováno v: Surface & Interface Analysis: SIA; 1991, Vol. 17 Issue 12, p875-887, 13p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Facts and artefacts in the characterization of Si/SiGe multiayers with SIMS.
Autor: Zalm, P. C., Vriezema, C. J., Gravesteijn, D. J., van de Walle, G. F. A., de Boer, W. B.
Publikováno v: Surface & Interface Analysis: SIA; 1991, Vol. 17 Issue 8, p556-566, 11p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Post-implantation as an aid in scale calibration for SIMS depth profiling.
Autor: Zalm, P. C., Janssen, K. T. F., Fontijn, G. M., Vriezema, C. J.
Publikováno v: Surface & Interface Analysis: SIA; 1989, Vol. 14 Issue 11, p781-786, 6p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Characterization of sharp phosphorus dopant features in silicon by secondary ion mass spectrometry.
Autor: Vriezema, C. J., Zalm, P. C., Maes, J. W. F. M., Roksnoer, P. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1991, Vol. 9 Issue 4, p2402-2404, 3p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Influence of surface topography on depth profiles obtained with secondary-ion mass spectrometry.
Autor: Walker, A. J., Borchert, M. T., Vriezema, C. J., Zalm, P. C.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 11/26/1990, Vol. 57 Issue 22, p2371, 3p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Field-induced segregation effects during secondary-ion mass spectrometry depth profiling of Cu and Na implanted in silicon.
Autor: Vriezema, C. J., Janssen, K. T. F., Boudewijn, P. R.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 5/15/1989, Vol. 54 Issue 20, p1981, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje