Zobrazeno 1 - 10
of 81
pro vyhledávání: '"Voss, Lars F."'
Point defects have a strong influence on the physical properties of materials, often dominating the electronic and optical behavior in semiconductors and insulators. The simulation and analysis of point defects is therefore crucial for understanding
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2403.05689
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 15 June 2022 144
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Huso, Jesse, McCluskey, Matthew D., McCloy, John S., Bhattacharyya, Arkka, Krishnamoorthy, Sriram, Frye, Clint D., Varley, Joel B., Voss, Lars F.
Publikováno v:
MRS Communications; Jun2024, Vol. 14 Issue 3, p427-431, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Huso, Jesse, McCluskey, Matthew D., McCloy, John S., Bhattacharyya, Arkka, Krishnamoorthy, Sriram, Frye, Clint D., Varley, Joel B., Voss, Lars F.
Publikováno v:
MRS Communications; June 2024, Vol. 14 Issue: 3 p427-431, 5p
Autor:
Dong, Yicong, Dowling, Karen M., Hau-Riege, Stefan P., Conway, Adam, Voss, Lars F., Rakheja, Shaloo
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 4/7/2022, Vol. 131 Issue 13, p1-18, 18p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shao, Qinghui, Conway, Adam M., Voss, Lars F., Radev, Radoslav P., Nikolić, Rebecca J., Dar, Mushtaq A., Cheung, Chin L.
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A 1 November 2015 799:203-206