Hole traps profile and physical properties of deep levels in various homoepitaxial diamond films studied by isothermal and deep level transient spectroscopies

Autor: Muret, P., Volpe, P.-N., Pernot, J., Omnès, F.

Publikováno v: In Diamond & Related Materials 2011 20(5):722-725

Electronic and physico-chemical properties of nanometric boron delta-doped diamond structures.

Autor: Chicot, G., Fiori, A., Volpe, P. N., Tran Thi, T. N., Gerbedoen, J. C., Bousquet, J., Alegre, M. P., Piñero, J. C., Araújo, D., Jomard, F., Soltani, A., De Jaeger, J. C., Morse, J., Härtwig, J., Tranchant, N., Mer-Calfati, C., Arnault, J. C., Delahaye, J., Grenet, T., Eon, D.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 116 Issue 8, p083702-1-083702-13, 13p, 1 Black and White Photograph, 2 Diagrams, 4 Charts, 10 Graphs

Imaging techniques for direct defect analysis in SC diamonds : what scanning electron microscopy and cathodoluminescence can ultimately reveal

Autor: Volpe, P. N., Saada, S., Nicolas Tranchant, Jean-Charles Arnault, Soltani, A., Donatini, F., Philippe Bergonzo

Publikováno v: 16th International Hasselt Diamond Workshop, SBDD XVI
16th International Hasselt Diamond Workshop, SBDD XVI, 2011, Hasselt, Belgium
HAL

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0860c90a14838560b743e8cb685623d7
https://hal.science/hal-00807605

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.