Growth rate effect on 3C-SiC film residual stress on (100) Si substrates

Autor: Anzalone R, Locke C, Carballo J, Piluso N, Severino A, D'Arrigo G, Volinsky AA, La Via F, Saddow SE

Publikováno v: (2010).
info:cnr-pdr/source/autori:Anzalone R, Locke C, Carballo J, Piluso N, Severino A, D'Arrigo G, Volinsky AA, La Via F, Saddow SE/titolo:Growth rate effect on 3C-SiC film residual stress on (100) Si substrates/doi:/rivista:/anno:2010/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=cnr_________::af8933d5a5093f80de2ef3c841e19f8e
https://publications.cnr.it/doc/65818

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.