Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Voitkāns, Andris"'
Autor:
Voitkāns, Andris
Šajā disertācijā tiek aprakstīti strukturālās un fotofizikālās MOCVD izaudzēto GaN nanovadu (NV) un InGaN kvantu punktu (KP) īpašības. Abos gadījumos ir parādīts, ka ex-situ RHEED mērījumi ir iespējami un sniedz kvalitatīvu inform
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::37856c03af3a643035dcb93f5f96b276
https://dspace.lu.lv/dspace/handle/7/4327
https://dspace.lu.lv/dspace/handle/7/4327
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Voitkāns, Jānis1 voitkans@eef.rtu.lv, Greivulis, Jānis1 greivulis@eef.rtu.lv, Voitkāns, Andris1 andris.voitkans@uni-rostock.de
Publikováno v:
Engineering for Rural Development - International Scientific Conference. 2008, p71-75. 5p. 4 Diagrams, 2 Graphs.
