Zobrazeno 1 - 10
of 57
pro vyhledávání: '"Voinigescu, S."'
Autor:
Spasaro, M., Bonen, S., Cooke, G., Jager, T., Nhut, T. D., Sufra, D., Voinigescu, S. P., Zito, D.
This paper reports the design and experimental characterization of a cryogenic compact low-power 60GHz amplifier for control of electron/hole spin qubits, as elementary building block for monolithic Si quantum processors. Tested at 2 K, the amplifier
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2406.12115
Cryogenic Compact mm-Wave Broadband SPST Switch in 22nm FDSOI CMOS for Monolithic Quantum Processors
Autor:
Nhut, T. D., Bonen, S., Cooke, G., Jager, T., Spasaro, M., Sufra, D., Voinigescu, S. P., Zito, D.
This paper reports the experimental characterization at the cryogenic temperature of a compact mm-wave broadband single-pole single-throw (SPST) switch in 22nm FDSOI CMOS technology. The switch consists of two n-MOSFETs with a special device option t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2406.12105
Autor:
Bellentani, L., Bina, M., Bonen, S., Secchi, A., Bertoni, A., Voinigescu, S., Padovani, A., Larcher, L., Troiani, F.
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 16, 054034 (2021)
Hole spins in semiconductor quantum dots represent a viable route for the implementation of electrically controlled qubits. In particular, the qubit implementation based on Si pMOSFETs offers great potentialities in terms of integration with the cont
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2106.04940
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hoffman, J., Gosse, J.R., Shopov, S., Voinigescu, S. P., Pekarik, J.J., Camillo-Castillo, R, Jain, V., Harame, D.
Publikováno v:
2015 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits & Technology Meeting - BCTM; 2015, p157-160, 4p
Publikováno v:
2015 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits & Technology Meeting - BCTM; 2015, p168-171, 4p
Publikováno v:
2014 IEEE International Microwave & RF Conference (IMaRC); 2014, p57-60, 4p