Zobrazeno 1 - 10
of 59
pro vyhledávání: '"Vogele, B."'
Autor:
Skuras, E., Long, A. R., Vogele, B., Holland, M. C., Stanley, C. R., Johnson, E. A., van der Burgt, M., Yaguchi, H., Singleton, J.
A detailed study is reported of Si spreading in slab- and delta-doped In0.53Ga0.47As grown lattice matched to InP substrates by molecular beam epitaxy at temperatures from approximate to 420 to approximate to 520 degrees C and doping concentrations F
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_____10561::f299b4dc44edc346bb13ef8106f6406c
http://olympias.lib.uoi.gr/jspui/handle/123456789/14461
http://olympias.lib.uoi.gr/jspui/handle/123456789/14461
A study of Si spreading in delta-doped InGaAs grown lattice matched on InP by molecular beam epitaxy is reported. The layers were designed to distinguish between thermal diffusion and surface segregation as mechanisms for migration of the dopant atom
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_____10561::3d0f7867c57bd8e8cc41b8b753e5666d
http://olympias.lib.uoi.gr/jspui/handle/123456789/14566
http://olympias.lib.uoi.gr/jspui/handle/123456789/14566
Autor:
McElhinney, M., Vogele, B., Holland, M. C., Stanley, C. R., Skuras, E., Long, A. R., Johnson, E. A.
Magnetotransport measurements are reported for In0.53Ga0.47As layers grown by molecular beam epitaxy (MBE) at different substrate temperatures (T-s) and either delta or slab-doped with Si. Multiple subband densities deduced from the Fourier analysis
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_____10561::a3061492b8c4fabb40109fcbe9b736fa
http://olympias.lib.uoi.gr/jspui/handle/123456789/13758
http://olympias.lib.uoi.gr/jspui/handle/123456789/13758
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics; 1995, Vol. 1 Issue 2, p757-761, 5p
