Výsledky vyhledávání - "Vo¨gele, B."

Akademický článek

Fabrication of high-performance extended-cavity double-quantum-well lasers with integrated passive sections.

Autor: Yee, H.H., Ayling, S., De La Rue, R.M., Vo¨gele, B., Song, Y.P.

Publikováno v: IEE Proceedings -- Optoelectronics; Feb1996, Vol. 143 Issue 1, p94-100, 7p

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Growth of sulphur-based ternary and quaternary epilayers for use in multilayer devices

Autor: Brownlie, G.D., Vo¨gele, B., Meredith, W., Milnes, J.S., Prior, K.A., Cavenett, B.C.

Publikováno v: Journal of Crystal Growth; 1998, Vol. 184 Issue: 1 p37-40, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Waveguide design for minimum nonlinear effective area and switching energy in AlGaAs at half the bandgap.

Autor: Villeneuve, A., Aitchison, J.S., Vo¨gele, B., Tapella, R., Kang, J.U., Trevino, C., Stegeman, G.I.

Publikováno v: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology); 03/30/1995, Vol. 31 Issue 7, p549-551, 3p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Broad spectral bandwidth semiconductor lasers.

Autor: Krauss, T.F., Hondromitros, G., Vo¨gele, B., De La Rue, R.M.

Publikováno v: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology); 06/19/1997, Vol. 33 Issue 13, p1142-1143, 2p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Suppression of bandgap shifts in GaAs/AlGaAs multiquantum wells using hydrogen plasma processing.

Autor: Hamilton, C.J., Hicks, S.E., Vo¨gele, B., Marsh, J.H., Aitchison, J.S.

Publikováno v: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology); 08/03/1995, Vol. 31 Issue 16, p1393-1394, 2p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

A universal damage induced technique for quantum well intermixing.

Autor: Kowalski, O. P., Hamilton, C. J., McDougall, S. D., Marsh, J. H., Bryce, A. C., De La Rue, R. M., Vo¨gele, B., Stanley, C. R., Button, C. C., Roberts, J. S.

Publikováno v: Applied Physics Letters; 2/2/1998, Vol. 72 Issue 5, 1 Diagram, 3 Graphs

Zobrazit plný text záznamu