Zobrazeno 1 - 10
of 57
pro vyhledávání: '"Vlasov, S.I."'
Publikováno v:
In Radiation Physics and Chemistry April 2023 205
Autor:
Vlasov, S.I., Ponomarev, A.V.
Publikováno v:
In Radiation Physics and Chemistry July 2021 184
Publikováno v:
In Radiation Physics and Chemistry December 2019 165
Publikováno v:
In Radiation Physics and Chemistry May 2019 158:64-67
Publikováno v:
In Radiation Physics and Chemistry October 2018 151:1-5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductors. Jul2006, Vol. 40 Issue 7, p808-811. 4p.
We investigated the effect of hydrostatic pressure on relaxation characteristics of the three-layer Al-SiO₂-n-Si structures. It was found that 20 min exposure to a pressure of 8 kbars results in reduction of the integral density of surface states,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::75d2d9ecc28cef9891295192bbc1edb3
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118305
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118305
