Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"Vlasenko O. I."'
Autor:
Veleschuk V. P., Vlasenko O. I., Vlasenko Z. K., Shynkarenko V.V., Kudryk Ya. Ya., Sai P. O., Borshch V. V.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 3, Pp 30-35 (2017)
The emission uniformity of LED chips in the entire range of brightness and colors is the problem in LED displays manufacture process. It was approved that at lowering brightness gradations appearing the radiation nonuniformity between LED chips, and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d8f0d91b5b5c44c5ac83da54f6669f7a
Dependence of the melting threshold of CdTe on the wavelength and pulse duration of laser radiation.
Autor:
Veleschuk, V. P.1 vvvit@ukr.net, Vlasenko, O. I.1, Vlasenko, Z. K.1, Levytskyi, S. N.1, Gnatyuk, D. V.2, Shefer, A. V.3, Borshch, V. V.3, Borshch, O. B.3
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2020, Vol. 23 Issue 1, p102-109. 8p.
Autor:
Kisselyuk, M. P.1, Vlasenko, O. I.1, Gentsar, P. O.1 gentsar@isp.kiev.ua, Vuychik, M. V.1, Zayats, M. S.1, Kruglenko, I. V.1, Litvin, O. S.1, Kryskov, Ts. A.2
Publikováno v:
Semiconductors. Aug2010, Vol. 44 Issue 8, p1012-1015. 4p. 3 Graphs.
Autor:
Lyashenko, O. V., Veleshchuk, V. P., Vlasenko, O. I., Onanko, A. P., Lyashenko, I. O., Onanko, Ju. A.
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 6, № 1 (2009); 36-41
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 6, № 1 (2009); 36-41
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 6, № 1 (2009); 36-41
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 6, № 1 (2009); 36-41
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 6, № 1 (2009); 36-41
Розглянуто питання про релаксацію поверхневих механічних напруг після імпульсного лазерного опромінення складних напівпровідникових
Autor:
Vlasenko, O. I., Gubanova, A. O., Kryskov, Ts. A., Lysy, I. V., Papusha, V. P., Sopinskyy, V. M., Stronsky, A. V.
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 5, № 1 (2008); 73-76
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 5, № 1 (2008); 73-76
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 5, № 1 (2008); 73-76
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 5, № 1 (2008); 73-76
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 5, № 1 (2008); 73-76
The results of research of optical properties (width of the energy gap, refractive index and spectrums of transmission in visible and infra-red areas) of the chalcogenides glassy semiconductors As2 S3 , synthesized by different methods.
Наве
Наве
Publikováno v:
2014 IEEE Nuclear Science Symposium & Medical Imaging Conference (NSS/MIC); 2014, p1-4, 4p
Publikováno v:
2013 IEEE Nuclear Science Symposium & Medical Imaging Conference (2013 NSS/MIC); 2013, p1-5, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gnatyuk, V. A., Vlasenko, O. I., Kosyachenko, L. A., Maslyanchuk, O. L., Sklyarchuk, V. M., Grushko, E. V., Aoki, T.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov2008 Part 2, Issue 1, p70081Z-70081Z-10, 10p
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings; 2007, Vol. 922 Issue 1, p216-222, 7p, 4 Graphs