Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Vivek M. Phanse"'
Autor:
Jeffrey S. Flynn, Vivek M. Phanse, Karim S. Boutros, W. Grieshaber, Joan M. Redwing, Robert P. Vaudo, Dean A. Stocker, Erdmann Frederick Schubert
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Laser action is demonstrated in InGaN/GaN double heterostructures with cleaved facets. Hydride vapor phase epitaxy is used to grow a 10-micrometer-thick buffer layer of GaN on (0001) sapphire, and metal-organic vapor phase epitaxy is used to subseque
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0eb73f1ec6854e3d967783cac37c71c8
https://doi.org/10.1117/12.304461
https://doi.org/10.1117/12.304461
Autor:
Oliver Ambacher, Robert P. Vaudo, Martin Stutzmann, Vivek M. Phanse, L. Görgens, Michael K. Kelly
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Free-standing GaN, nearly equal in area to the original 2 inch wafer, was produced from 250–300 µm thick GaN films grown on sapphire by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The thick films were separated from the growth substrate by laser-induced l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8eca99fb48ac2061195a1f13ab90f248
https://doi.org/10.1143/jjap.38.l217
https://doi.org/10.1143/jjap.38.l217
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Michael K. Kelly, Michael K. Kelly, Robert P. Vaudo, Robert P. Vaudo, Vivek M. Phanse, Vivek M. Phanse, Lutz Görgens, Lutz Görgens, Oliver Ambacher, Oliver Ambacher, Martin Stutzmann, Martin Stutzmann
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics; March 1999, Vol. 38 Issue: 3 pL217-L217, 1p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.