Zobrazeno 1 - 10 of 66 pro vyhledávání: '"Viturro, R."'
3
Akademický článek
Influence of deep states on CdTe and GaAs metal interface formation.
Autor: Shaw, J., Viturro, R., Brillson, L., Lagraffe, D.
Publikováno v: Journal of Electronic Materials; Jan1989, Vol. 18 Issue 1, p59-64, 6p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Modification of electronic and chemical structure at metal/cdte interfaces by pulsed laser annealing.
Autor: Shaw, J., Viturro, R., Brillson, L., Kilday, D., Margaritondo, G.
Publikováno v: Journal of Electronic Materials; Mar1988, Vol. 17 Issue 2, p149-153, 5p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Low-temperature formation of metal/molecular-beam epitaxy-GaAs(100) interfaces: Approaching ideal chemical and electronic limits.
Autor: Viturro, R. E., Chang, S., Shaw, J. L., Mailhiot, C., Brillson, L. J., Terrasi, A., Hwu, Y., Margaritondo, G., Kirchner, P. D., Woodall, J. M.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1989, Vol. 7 Issue 4, p1007-1012, 6p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Schottky-like behavior of the GaP(110)/Ag interface.
Autor: Chiaradia, P., Fanfoni, M., Nataletti, P., De Padova, P., Viturro, R. E., Brillson, L. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1989, Vol. 7 Issue 2, p195-198, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Unpinned Schottky barrier formation at metal-GaAs interfaces.
Autor: Brillson, L. J., Viturro, R. E., Mailhiot, C., Shaw, J. L., Tache, N., McKinley, J., Margaritondo, G., Woodall, J. M., Kirchner, P. D., Pettit, G. D., Wright, S. L.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1988, Vol. 6 Issue 4, p1263-1269, 7p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Arsenic- and metal-induced GaAs interface states by low-energy cathodoluminescence spectroscopy.
Autor: Viturro, R. E., Shaw, J. L., Brillson, L. J., Woodall, J. M., Kirchner, P. D., Pettit, G. D., Wright, S. L.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1988, Vol. 6 Issue 4, p1397-1402, 6p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Unpinned Schottky barrier formation at metal-GaP interfaces: A representative III-V compound interface.
Autor: Chiaradia, P., Brillson, L. J., Slade, M., Viturro, R. E., Kilday, D., Tache, N., Kelly, M., Margaritondo, G.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1987, Vol. 5 Issue 4, p1075-1079, 5p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Cleavage-related electronic states of Al-InP(110) interfaces.
Autor: Viturro, R. E., Shaw, J. L., Brillson, L. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1987, Vol. 5 Issue 4, p1125-1128, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje