Zobrazeno 1 - 10 of 22 pro vyhledávání: '"Vitkavage, D. J."'
1
Akademický článek
Ellipsometric and Rutherford backscattering characterization of low-energy hydrogen-, helium-, neon-, and argon-bombarded silicon.
Autor: Buckner, J. L., Vitkavage, D. J., Irene, E. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/1/1988, Vol. 63 Issue 11, p5288, 7p, 1 Diagram, 3 Charts, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Doping reaction of PH3 and B2H6 with Si(100).
Autor: Yu, Ming L., Vitkavage, D. J., Meyerson, B. S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/15/1986, Vol. 59 Issue 12, p4032, 6p, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Sputtering of chlorinated silicon surfaces studied by secondary ion mass spectrometry and ion scattering spectroscopy.
Autor: Barish, E. L., Vitkavage, D. J., Mayer, T. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1985, Vol. 57 Issue 4, p1336, 7p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Microscopic uniformity in plasma etching.
Autor: Gottscho, Richard A., Jurgensen, C. W., Vitkavage, D. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 5, p2133-2147, 15p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Residue formation on Si surfaces in a CHF3 discharge environment.
Autor: Vitkavage, D. J., Mayer, T. M.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1986, Vol. 4 Issue 6, p1283-1291, 9p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Characterization of epitaxial Ge films grown by remote plasma enhanced chemical vapor deposition on Ge(111) and GaAs(111) substrates.
Autor: Posthill, J. B., Rudder, R. A., Hattangady, S. V., Fountain, G. G., Vitkavage, D. J., Markunas, R. J., Parikh, N. R., Yu, N.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1989, Vol. 7 Issue 3, p1130-1135, 6p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Plasma enhanced chemical vapor deposition of polycrystalline diamond and diamondlike films.
Autor: Vitkavage, D. J., Rudder, R. A., Fountain, G. G., Markunas, R. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1988, Vol. 6 Issue 3, p1812-1815, 4p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
SIMS study of ion assisted etching of Si by Cl2.
Autor: Vitkavage, D. J., Ameen, M. S., Mayer, T. M.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1984, Vol. 2 Issue 2, p492-495, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Summary Abstract: Ion-enhanced processes in etching of silicon.
Autor: Mayer, T. M., Ameen, M. S., Barish, E. L., Mizutani, T., Vitkavage, D. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1985, Vol. 3 Issue 5, p1373-1375, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje