Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"Viloan, Rommel Paulo"'
Autor:
Villamayor, Michelle Marie S., Keraudy, Julien, Shimizu, Tetsuhide, Viloan, Rommel Paulo B., Boyd, Robert, Lundin, Daniel, Greene, J. E., Petrova, Ivan, Helmersson, Ulf
Low-temperature epitaxial growth of refractory transition-metal nitride thin films by means of physical vapor deposition has been a recurring theme in advanced thin-film technology for several years. In the present study, 150-nm-thick epitaxial HfN l
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1808.10614
Publikováno v:
In Surface & Coatings Technology 25 September 2021 422
Autor:
Viloan, Rommel Paulo B., Gu, Jiabin, Boyd, Robert, Keraudy, Julien, Li, Liuhe, Helmersson, Ulf
Publikováno v:
In Thin Solid Films 31 October 2019 688
Autor:
Keraudy, Julien, Viloan, Rommel Paulo B., Raadu, Michael A., Brenning, Nils, Lundin, Daniel, Helmersson, Ulf
Publikováno v:
In Surface & Coatings Technology 15 February 2019 359:433-437
Autor:
Shimizu, Tetsuhide, Takahashi, Kazuki, Boyd, Robert, Viloan, Rommel Paulo, Keraudy, Julien, Lundin, Daniel, Yang, Ming, Helmersson, Ulf
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 4/21/2021, Vol. 129 Issue 15, p1-17, 17p
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 3/14/2020, Vol. 127 Issue 10, p1-9, 9p, 2 Diagrams, 10 Graphs
Autor:
Viloan, Rommel Paulo B.
Energetic-ion bombardment has become an attractive route to modify the crystal growth and deposit high quality thin films. In high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) where the discharge is characterized by a significant amount of ions of the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::845e4582c2b4991a4e766bac2306bc59
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-175464
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-175464
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Villamayor, Michelle M, Keraudy, Julien, Shimizu, Tetsuhide, Viloan, Rommel Paulo, Boyd, Robert, Lundin, Daniel, Greene, Joseph E, Petrov, Ivan, Helmersson, Ulf
Low-temperature epitaxial growth of refractory transition-metal nitride thin films by means of physical vapor deposition has been a recurring theme in advanced thin-film technology for several years. In the present study, 150-nm-thick epitaxial HfN l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ab62c5ed646375e902f31a9229d937c0
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-153383
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-153383