Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Villis, Byron J."'
Autor:
Matmon, Guy, Ginossar, Eran, Villis, Byron J., Kölker, Alex, Lim, Tingbin, Solanki, Hari, Schofield, Steven R., Curson, Neil J., Li, Juerong, Murdin, Ben N., Fisher, Andrew J., Aeppli, Gabriel
Publikováno v:
Phys. Rev. B 97, 155306 (2018)
Doping of silicon via phosphene exposures alternating with molecular beam epitaxy overgrowth is a path to Si:P substrates for conventional microelectronics and quantum information technologies. The technique also provides a new and well-controlled ma
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1802.05208
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Litvinenko, Konstantin L., Bowyer, E.T., Greenland, P.T., Stavrias, Nikolas, Li, Juerong, Villis, Byron J., Matmon, Guy, Pang, M.L.Y., Redlich, Britta, Van der Meer, Alexander F.G., Pidgeon, Carl R., Aeppli, Gabriel, Murdin, Ben N.
Publikováno v:
Nature Communications, 6
The ability to control dynamics of quantum states by optical interference, and subsequent electrical read-out, is crucial for solid state quantum technologies. Ramsey interference has been successfully observed for spins in silicon and nitrogen vacan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::32110a6c2bba9fff6f56a009422ee0a3
https://hdl.handle.net/20.500.11850/100593
https://hdl.handle.net/20.500.11850/100593