Zobrazeno 1 - 10
of 86
pro vyhledávání: '"Villis, B."'
Autor:
Apostolidis, P., Villis, B. J., Chittock-Wood, J. F., Baumgartner, A., Vesterinen, V., Simbierowicz, S., Hassel, J., Buitelaar, M. R.
Radio-frequency reflectometry allows for fast and sensitive electrical readout of charge and spin qubits hosted in quantum dot devices coupled to resonant circuits. Optimizing readout, however, requires frequency tuning of the resonators and impedanc
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.03588
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Radio-frequency reflectometry in silicon single-electron transistors (SETs) is presented. At low temperatures (<4 K), in addition to the expected Coulomb blockade features associated with charging of the SET dot, quasi-periodic oscillations are obser
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1109.4545
Autor:
Matmon, G, Ginossar, Eran, Villis, B, Kolker, A, Lim, T, Solanki, H, Schofield, S, Curson, N, Li, Juerong, Murdin, Benedict, Fisher, A, Aeppli, G
Doping of silicon via phosphene exposures alternating with molecular beam epitaxy overgrowth is a path to Si:P substrates for conventional microelectronics and quantum information technologies. The technique also provides a new and well-controlled ma
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d2a664f9adefc1965a01c2cab735a18a
Autor:
Murdin, B.N., Litvinenko, K., Li, J., Bowyer, E., Pang, M., Greenland, P.T., Villis, B., Aeppli, G., Meer, A.F.G. van der, Redlich, B., Engelkamp, H., Pidgeon, C.R., Bigot, J.-Y., Hübner, W., Rasing, T., Chantrell, R.
Publikováno v:
Bigot, J.-Y.; Hübner, W.; Rasing, T. (ed.), Ultrafast Magnetism I : Proceedings of the International Conference UMC 2013 Strasbourg, France, October 28th-November 1st, 2013, pp. 92-93
Springer Proceedings in Physics ; 159, 92-93. Berlin : Springer International Publishing
STARTPAGE=92;ENDPAGE=93;TITLE=Springer Proceedings in Physics ; 159
Springer Proceedings in Physics ISBN: 9783319077420
Springer Proceedings in Physics ; 159, 92-93. Berlin : Springer International Publishing
STARTPAGE=92;ENDPAGE=93;TITLE=Springer Proceedings in Physics ; 159
Springer Proceedings in Physics ISBN: 9783319077420
Shallow donor impurities in silicon, once frozen out at low temperature, share many properties in common with free hydrogen atoms [1]. They have long been the subject of spectroscopic investigation, but it is only very recently [2,3] that it has been
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::81fa70937796309c268d91bf993d3c74
https://hdl.handle.net/2066/150098
https://hdl.handle.net/2066/150098
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
McCallum, J. C., Villis, B. J., Johnson, B. C., Stavrias, N., Burgess, J. E., Charnvanichborikarn, S., Wong-Leung, J., Williams, J. S., Jagadish, C.
Publikováno v:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Mar2011, Vol. 208 Issue 3, p620-623, 4p