Zobrazeno 1 - 10
of 206
pro vyhledávání: '"Vikharev, A. L."'
Autor:
Ivanov, O. A.1 (AUTHOR), Vikharev, A. L.1 (AUTHOR) val@appl.sci-nnov.ru, Bogdanov, S. A.1 (AUTHOR), Ovechkin, N. M.1 (AUTHOR), Loginov, V. P.2 (AUTHOR), Yakovlev, Yu. A.2 (AUTHOR), Vul', A. Ya.3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 2023 Suppl 4, Vol. 49, pS311-S314. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vikharev, A. L.1 (AUTHOR) val@appl.sci-nnov.ru, Bogdanov, S. A.1 (AUTHOR), Ovechkin, N. M.1 (AUTHOR), Ivanov, O. A.1 (AUTHOR), Radishev, D. B.1 (AUTHOR), Gorbachev, A. M.1 (AUTHOR), Lobaev, M. A.1 (AUTHOR), Vul, A. Ya.2 (AUTHOR), Dideikin, A. T.2 (AUTHOR), Kraev, S. A.1 (AUTHOR), Korolev, S. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. 2021, Vol. 55 Issue 1, p66-75. 10p.
Autor:
Vikharev, A. A.1 (AUTHOR) alvikharev@appl.sci-nnov.ru, Vikharev, A. L.1 (AUTHOR), Gacheva, E. I.1 (AUTHOR), Ivanov, O. A.1 (AUTHOR), Kuzikov, S. V.1 (AUTHOR), Makarov, D. S.1 (AUTHOR), Mart'yanov, M. A.1 (AUTHOR), Mironov, S. Yu.1 (AUTHOR), Peskov, N. Yu.1 (AUTHOR), Potemkin, A. K.1 (AUTHOR), Tret'yakov, M. Yu.1 (AUTHOR), Shkaev, A. P.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Radiophysics & Quantum Electronics. Oct2020, Vol. 63 Issue 5/6, p430-439. 10p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Investigation of the effect of hydrogen content on the conductivity of nanocrystalline diamond films
Autor:
null Vul` A. Ya., null Yakovlev Y. A., null Loginov V. P., null Ovechkin N. M., null Bogdanov S. A., null Vikharev A. L., null Ivanov O. A.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:77
The results are presented for investigation of electrical conductivity of nanocrystalline diamond (NCD) films with thickness of 0.5-0.6 microns grown on silicon Si(100) substrates by the CVD method using methane-hydrogen and methane-hydrogen-oxygen m