Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Vik J. Kapoor"'
Publikováno v:
Mechanical Engineering. 123:54-58
This article reviews advances in semiconductor manufacturing techniques that are bringing medicine closer to cures and treatments that have eluded researchers working on the macro scale. An orthopaedic implant company, Implex Corp. of Allendale, New
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b027d6cd13d1a4fcbde31f5cc8a61130
https://doi.org/10.1115/1.2001-aug-3
https://doi.org/10.1115/1.2001-aug-3
Autor:
Dan Xu, Vik J. Kapoor
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 70:1570-1574
The interface state density of metal‐oxynitride‐oxide‐silicon (MNOS) devices was investigated as a function of the tunnel oxide thickness and the amount of oxygen in the oxynitride films. Nitrous oxide gas was used to introduce oxygen into the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ff48f3656587b95183039981eea605f6
https://doi.org/10.1063/1.349519
https://doi.org/10.1063/1.349519
Autor:
Vik J. Kapoor, Gregory A. Johnson
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 69:3616-3622
Plasma-deposited germanium nitride was investigated for the first time as a possible gate insulator for InP compound semiconductor metal-insulator-semiconductor FET (MISFET) technology. The germanium nitride films were successfully deposited in a cap
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::39da8c486856b8b09fafb47697c8f1f1
https://doi.org/10.1063/1.348508
https://doi.org/10.1063/1.348508
Autor:
Dan Xu, Vik J. Kapoor
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 68:4172-4177
The interface state density of metal‐nitride‐oxide‐silicon (MNOS) devices was investigated as a function of silicon nitride (Si3N4) deposition temperature and postdeposition annealing conditions. The interface state density around the midgap of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::17dd70727ab2f626cb1e250d2bd50ba2
https://doi.org/10.1063/1.346231
https://doi.org/10.1063/1.346231
Autor:
Vik J. Kapoor, Dan Xu
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 65:1217-1222
The flat‐band voltage monitored photodepopulation technique in combination with photoinjection was used to investigate the first‐order kinetics of a trap emptying in low‐pressure chemical vapor deposited thin films of silicon oxynitride (SiOx N
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fa1b840d92554efc2c642fbfec2ca6f8
https://doi.org/10.1063/1.343012
https://doi.org/10.1063/1.343012
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 3:2327-2328
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f4846112387bc9ac5d5c96b83d254f13
https://doi.org/10.1116/1.572875
https://doi.org/10.1116/1.572875
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.